ティー・ケー・エス合同会社

米国Exogenesis社

ガスクラスターイオンビーム技術をさらに発展させた特許技術のAccelerated Neutral Atom Beam (ANAB) により、資料表面から僅か2−3nm厚の材質改質、ボイドや突起等欠陥除去、極薄領域へのイオン注入、自立グラフェン様カーボン膜形成、バイオ親和性の改善など他のプロセスでは実現できない0.1nmレベルの表面粗さを有する材料表面の改質を提供いたします。 この特性を生かして次世代リソグラフィーに必要なマスク基板表面の無欠陥且つ、0.1nmRa以下の表面粗度を実現や、EUVマスク用の低損失ペリクルなどに使用できます。

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製品一覧

  • nAccel 100

    Beam Types Energetic argon Gas Cluster Ion Beam (GCIB) and Accelerated Neutral argon gas Atom Beam (ANAB)
    Beam Line Base Pressure < 1E-6 Torr
    Handler Vacuum Base Pressure < 1E-6 Torr
    Gas delivery system 50 – 500 sccm Ar
    Beam Line vacuum pressure during beam operation < 9E-5 Torr at gas flows to 250 sccm
    Handler vacuum press. during beam operation < 9E-5 Torr
    GCIB/ANAB Beam Acceleration Potential 10 – 50 kV
    GCIB/ANAB Beam Fluxes 5E14 – 1E16 atoms/second
    Effective Scanning Area 310mm x 310mm